PartNumber（編碼）Chip（晶片）1W白色 Material（材料）Emitting（顏色）入P(nm)InGaNWHITE正白 Parameter（參數(shù)）SymbolMINTYPMAXUNITTESTCONDITIONForwardVoltage（順向電壓）VF3.0/3.6VIf=350mADomiWavelength（主波長） d0.28/0.32nm ReverseCurrent（反向電流）IR 10 AVR=5VPowerdissipation（消耗功率）Pd 1000 mW LuminousIntensity（發(fā)光強(qiáng)度）IV80/90LMIf=350mAPeakForwardCurrent（順向電流峰值）If(Peak) 500mA RecommendForwardCurrent（順向電流）If(Rec) 350 mA Electrostatic Discharge（靜電釋放）ESD 2000 V 1.BSOLUTE MAXIMUM RATINGS：（Ta=25℃）2.OPERATINGTEMPERATURE： 40℃TO80℃(操作溫度)3.LEADSOLDERING：260℃FOR5SECONDS（焊接條件）4.儲存條件:25℃以下60%濕度以下.