A1391、A1392、A1393、A1395帶三態(tài)輸出和用戶可選休眠方式的微功率3 V線性霍爾效應(yīng)傳感器IC功能及優(yōu)點(diǎn)休眠方式中的高阻抗輸出兼容2.5至3.5 V電源10有源模式中 mW功率消耗微型MLP封裝與比例式電源參考電壓（VREF引腳）成比例的輸出范圍溫度穩(wěn)定的靜止輸出電壓和靈敏度較寬的環(huán)境溫度范圍： 20 C到85 CESD保護(hù)超過3 kV高可靠性最后測試時(shí)預(yù)設(shè)靈敏度和偏移描述A139x系列線性霍爾效應(yīng)傳感器集成電路(IC)提供直接與所適用磁場成比例的電壓輸出。放大前，典型的霍爾效應(yīng)IC的靈敏度（以mV/G為單位）與流經(jīng)IC內(nèi)部霍爾效應(yīng)傳感器元件的電流直接成比例。在許多應(yīng)用中，要使霍爾效應(yīng)傳感器IC獲得充分的靈敏度水平，如果不消耗3 mA以上的電流是很難實(shí)現(xiàn)的。A139x通過添加用戶可選擇的休眠方式將電流消耗減少至不超過25 A。這就使這些器件更適合于電池供電型應(yīng)用，如：移動(dòng)電話、數(shù)碼照相機(jī)和便攜式工具。最終用戶可以通過將邏輯電平信號施加于SLEEP引腳來控制A139x的電流消耗。器件輸出在休眠模式中是無效的（高阻抗模式）。高阻抗輸出功能允許多個(gè)A139x霍爾效應(yīng)器件與單個(gè)交流至直流轉(zhuǎn)換器輸入相連接。根據(jù)標(biāo)稱設(shè)置，這些器件的靜止輸出電壓是施加到器件VREF引腳的比例式電源參考電壓的50%。器件的輸出電壓與SUPPLY引腳的電壓不成比例。盡管A139x中的電路具有低功率消耗，但高精度線性霍爾效應(yīng)IC所要求的各項(xiàng)功能并未因此受到損害。每個(gè)器件都具有BiCMOS單片電路，該電路集成了已經(jīng)改進(jìn)的溫度補(bǔ)償霍爾效應(yīng)電路，以降低霍爾元件、小型信號高增益放大器和專有動(dòng)態(tài)偏移取消電路所固有的靈敏度漂移。在下線時(shí)進(jìn)行的后封裝出廠編程可確保對器件靈敏度和偏移的精確控制。這些器件采用2.0 3.0 mm,0.75 mm標(biāo)稱高度微型引腳小型封裝(MLP/DFN)。該封裝無鉛，引腳框采用100%霧錫電鍍。功能方框圖